Kiselnitrid-keramiksubstratet har många fördelar, såsom hög styrka, hög seghet och exceptionell värmeledningsförmåga (130W/(m-k)). Dessutom motsvarar dess termiska expan-sionkoefficient nära den hos Si-, SiC- och GaN-halvledare. Därför är kiselnitrid-keramiksubstratet ett idealiskt val för att paketera högenergimoduler, vilket gör det allmänt ansedd som det mest lämpliga keramiska substratalternativet.

Vårt företag använder direktnitrideringsprocessen för att producera högrenhets kiselpulver. Genom vår unika patenterade teknik kontrollerar vi kiselmaterialet, nitreringsprocessen och raffineringsprocessen för att framställa CF-HJ kiselnitridpulver med hög renhet, hög A-fasinnehåll, smal partikelstorleksfördelning och exceptionell sintringsaktivitet. Denna typ av kiselnitridpulver har effektivt avslutat utländska monopol och kan fungera som ett fullt fungerande substitut för importerat kiselnitridpulver av samma kvalitetsnivå.